Mastergan Power SIPS与非对称GaN晶体管集成

文章：STMicroelectronics

建立了STMicroelectronics的主人的优势^®平台，Mastergan2.是新系列中的第一个，以含有两个不对称氮化镓（GaN）晶体管，输送适合于软切换和主动整流转换器拓扑的集成GaN溶液。

650V常关GAN晶体管具有150mΩ和225mΩ的电阻（RDS（ON））。每个都与优化的栅极驱​​动器相结合，使GaN技术易于使用作为普通硅装置。通过将高级集成与GaN的固有性能优势结合起来，Mastergan2进一步扩展了效率的增长，尺寸减小，拓扑级别的重量节省，如活动钳位反激。

Mastergan Power System-In-Capity（SIP）系列将两个GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和相关的高压栅极驱动器与内置所有必要的保护机制相结合。设计人员可以轻松将包括HALL传感器的外部设备和直接连接到DSP，FPGA或微控制器，如DSP，FPGA或微控制器。输入与3.3V至15V的逻辑信号兼容，这有助于简化电路设计和材料清单，允许较小的占地面积和简化组件。该集成有助于提高适配器和快速充电器的功率密度。

GaN技术正在推动快速USB-PD适配器和智能手机充电器的演变。St的Mastergan设备使这些能够变得高达80％，更轻，而且与普通的基于硅的解决方案相比，充电三倍。

内置保护包括低侧和高侧欠压锁定（UVLO），栅极驱动器互锁，专用关断销和过温保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN封装针对高压应用进行了优化，高压和低压焊盘之间具有超过2mm的爬电距离。