Faraday和UMC发布了一整套22nm基本IP
文章作者:法拉第
法拉第技术公司(Faraday Technology Corporation)和联合微电子公司(United Microelectronics Corporation)今天宣布，法拉第的基本IP可用于联电22nm超低功耗(ULP)和超低泄漏(ULL)工艺。
Faraday Technology Corporation (TWSE: 3035)是一家领先的ASIC设计服务和IP提供商，联合微电子公司(NYSE: UMC;(TWSE: 2303)(“联电”)，一家全球领先的半导体代工公司，今天宣布法拉第的基本IP可用于联电的22纳米超低功耗(ULP)和超低泄漏(ULL)工艺。经过硅验证的22ULP/ULL基本IP，包括多vt标准单元库、ECO库、IO库、PowerSlash™工具包和内存编译器，为下一级SoC设计提供了显著的功耗降低。
Faraday 22ULP/ULL基础IP的设计具有增强的路由，以及最佳的功率、性能和面积(PPA)，以满足低功耗SoC需求。与28nm能力相比，22nm单元库在相同性能速率下可减少芯片芯片面积10%或降低功耗30%以上。
此外，标准单元库可以在0.6V到1.0V的宽电压范围下工作，并支持SoC中具有超低泄漏的永通元件;通用IO库包括通用IO，多vt IO, RTC IO, OSC IO，和模拟ESD IO;内存编译器具有双电源轨道功能，多种省电模式，和读/写辅助功能。
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