EPC用40V eGaN FET扩展了晶体管阵容
文章作者:高效电力转换公司(EPC)
EPC公司的EPC2067 eGaN FET为设计人员提供了一种更小、更高效、更可靠的设备，适用于高性能、空间有限的应用。
高效电力转换公司(EPC)已经扩大了其低压，现成的氮化镓(GaN)晶体管的投资组合EPC2067(1.3mΩ典型，40V) eGaN FET。
EPC2067是对高功率密度性能要求的应用的理想选择，包括48V-54V输入服务器。较低的栅极电荷和零反向恢复损失，使1MHz及以上的高频工作，在一个微小的9.3mm2足迹，最先进的功率密度的高效率。
EPC2067是40V-60V至12V LLC DC-DC变换器二次侧的理想开关。与上一代40V GaN fet相比，这种40伏器件提供了更好的性能和成本，允许设计师从经济上提高效率和功率密度，”EPC的联合创始人和首席执行官Alex Lidow说。
的EPC90138开发板是一个40V的最大设备电压，40A的最大输出电流，带有板载门驱动的半桥，具有EPC2067 eGaN fet。这个50.8×50.8mm)板是为最佳的开关性能而设计的，包含了所有关键组件，便于对EPC2067进行评估。
EPC是基于增强模式氮化镓(eGaN)的电源管理的领导者。eGaN fet和集成电路在DC-DC变换器、遥感技术(激光雷达)、机动电机驱动、机器人、无人机和低成本卫星等应用中提供的性能比最好的硅功率mosfet高出许多倍。
