TSMC 7nm准备好了，但三星仍然离开

文章作者:Rick Merritt

三星和台积电在最近的国际固态电路大会（ISSCC）的7NM工艺技术上有两种非常不同的瞥见。两家公司都在SRAM上呈现了工作，通常是下一代节点的关键驱动因素。

台积电的纸张描述了一种可以用于商业部分的测试芯片，并说它具有“健康”的产量。三星描述了它使用极端紫外线（EUV）光刻修理清晰的研究装置，暗示它将呼叫7nm仍然可能是几年之遥。

这两篇论文都需要通过ISSCC的视角来看待。ISSCC是一个聚集了来自世界各地约3000名向上流动的芯片设计师的地方。两家铸造厂都想证明自己处于下一代铸造厂服务的领先地位。不幸的是，他们在所谓的7nm上产生了分歧。

台积电显然赢得了苹果iPhone SoC业务的最大份额，而这一业务每年都需要工艺技术的轻微改进。因此，台积电今年开始为iPhone 7生产10nm芯片，并需要在明年为iPhone 8生产7nm芯片。

没有了苹果的业务，三星可以在某种程度上退出品牌游戏。因此，它将推迟其7nm节点，但通过成为第一批以某种形式使用EUV来显示其领导地位。

两家公司都取得了令人钦佩的进展。一位分析师最近表示，这些代工厂实际上是在互相超越，并超越芯片巨头英特尔(Intel)。

但细节很少。在ISSCC上，台积电描述了一款256Mbit SRAM测试芯片，使用其7nm工艺达到了0.027mm2的位单元面积，使其成为“今年风险生产中最小的SRAM”，台积电存储部门主管Jonathan Chang在他的演讲中说。

由此产生的SRAM宏将比TSMC的16nm版本小0.34倍。它采用七个金属层，整体模具尺寸为42mm2。

Chang演讲的关键细节是SRAM几乎已经完全成熟。他说:“我们现在就能生产它，Vmin非常非常健康，满足我们的设计目标。”

图1:*TSMC商用SRAM今年将处于风险生产状态。(来源:globalfoundries) *

三星描述了EUV的有限工作

三星的优势在于更多的研发，较少的开发。这家韩国巨头制造了一个8Mbit的测试SRAM，实际上只是未来商业7nm产品的一小部分。

*三星提供了一个概念图，说明其7nm SRAM(上)将比10nm SRAM(下)小30%

芯片本身并不是用EUV制造的。相反，三星开发了一种新颖的修复过程，它在现有和EUV步进器上进行了测试，毫无意外地发现EUV要好得多。一般来说，修复不是一个生产过程，所以这项工作很少说明三星是如何准备在7nm的EUV生产。

专家们一般认为EUV将在某些关键层上准备好的生产使用大约2020年。三星去年年底表示，它将在其7nm过程中使用EUV，但没有说使用的有限。

三星究竟是想在所谓的7nm制程上落后台积电一年、两年还是三年，还有待观察。它可以随时决定，然后定义其使用EUV相应。此外，该公司还将拥有营销优势，称其7nm工艺更先进，因为它使用了极紫外灯。