TI在EE awards Asia获得四项大奖，加速了GaN技术的发展势头
文章作者：斯蒂芬·拉斯马里亚斯
德克萨斯仪器公司凭借其LMG3525R030-Q1氮化镓（GaN）器件在今年的亚洲EE大奖上获得了四项大奖。
德州仪器公司（TI）是一家领先的模拟和嵌入式处理芯片设计和制造商，面向工业、汽车、个人电子、通信设备和企业系统市场，已获得四项大奖-电动汽车功率半导体供应商和节能电力半导体供应商在今年的台湾和亚洲分部EE亚洲奖-用于其LMG3525R030-Q1氮化镓（GaN）器件。
应对行业挑战
电力电子行业发展迅速。随着这一演变，推动电源管理变化的主要趋势是：功率密度、低电磁干扰（EMI）、低静态电流（IQ)、隔离、低噪声、高精度。
为了帮助客户解决这些问题，TI战略性地投资了氮化镓（GaN）技术，这是一种新的功率半导体，利用优越的器件开关特性降低功率损耗，提高效率，并提高AC/DC和DC/DC电源的功率密度。从用户适配器到服务器和电信PSU，再到电动汽车（EV）的车载充电系统，这些都是对任何电源的普遍改进。
TI最近推出了LMG3525R030-Q1，这是业界第一款具有集成驱动、保护和有源电源管理功能的汽车GaN FET。这些进步可帮助客户充分利用其系统，并通过提供两倍的功率密度和最高的车载充电效率，使其尽可能易于使用rs和工业电源。
TI还发布了电动汽车电池管理系统（BMS）的一项重大进步，BMS是无线BMS的高性能解决方案，具有新的汽车电池监控器和平衡器，可帮助工程师实现电池安全目标，并最大限度地延长有线和无线BMS的每次充电距离。
独特的技术解决方案
TI获得该奖项是因为其GaN技术解决方案专注于最大限度地提高效率、驱动高水平的健壮性和可靠性，以及在最大限度地提高容量的同时最大限度地降低成本。
TI的GaN器件具有更高的集成度和开关频率，还具有超过4000万个设备小时的系统可靠性测试，以解决故障机制并最大限度地延长寿命。
TI投资于内部制造能力，以最佳控制供应、质量和成本。该公司还继续投资于高度集成的GaN器件，以进一步提高效率和功率密度，面向广泛的终端用户应用。这包括功率水平从几十瓦到低功率的应用到EVS的22KW，以帮助支持工程师，他们想要考虑GaN建立更小、更轻、更高效的电力系统。
最近，TI宣布其GaN技术和C2000实时微控制器（MCU）与Delta Electronics的高效电力电子专业技术相结合，用于设计企业服务器电源单元（PSU）与使用传统体系结构的企业服务器电源相比，数据中心应用程序的功率密度提高了80%，效率提高了1%，最高可达99.2%。
