开关覆盖多达4A高边功率控制应用程序

文章作者:Silego Technology

可配置混合信号IC开发商Silego Technology在其GFET3集成电源开关(IPS)产品组合中增加了三款新产品。据该公司介绍，该开关采用晶圆级芯片规模封装(WLCSPs)，覆盖从1A到4A的高边功率控制应用。

对于智能手机和健身带应用，0.8mm x 0.8mm SLG59M1730C (33 mΩ/1A)和SLG59M1736C (33 mΩ/2.2A)是低漏电，自供电pet ips，可以从2.5V到5.5V供电电压，并吸取很少的供电电流。两种产品都提供低阈值ON/OFF控制，快速输出电压放电和控制输入电流剖面启动。据该公司介绍，由于小尺寸锂离子电池表现出非常低的安培小时容量，SLG59M1730C/SLG59M1736C在启动时控制的16.5mA励磁电流曲线可以防止蓝牙无线电或其他高电流需求操作时锂离子电池电压下降。

与市场上其他输出电压上升速度快、固定的四球WLCSPs相比，与负载电容值成正比的涌流大小可以相当大。如果由此产生的涌流大到足以导致锂离子电池电压下降，则可能导致不经意的系统复位。因此，SLG59M1730C/SLG59M1736C的可控涌流属性可以防止意外的系统复位发生。

同时，SLG59M1735C是10.5mΩ/4A nFET IPS，具有针对更高功率平板电脑应用的全套保护功能。从2.5V到5.5V供电，输入电压范围延伸到0.9V，以适应1.0V高电流轨道发现在FPGA, ASIC和处理器功率排序应用。SLG59M1735C功能集包括:ON/OFF控制，软启动控制，欠压检测和两级限流保护。

与Silego的GFET3产品组合中具有类似功能的其他包装产品相比，1.5mm2 SLG59M1735C的占地面积小50%。据该公司称，与市场上其他具有类似保护功能的4A WLCSP/DFN产品相比，SLG59M1735C占地面积小14%至32%。

据Silego公司介绍，该集成保护设备使用Silego专有的MOSFET设计IP，在小型WLCSP覆盖范围内提供低RDSON性能的net和pet，在空间受限、中电流应用中最大限度地提高系统级性能，同时最大限度地降低热梯度。