GaN fet可以简化应用设计万博投注网址
文章作者:Susan Nordyk
来自Nexperia的GaN HEMT H2 fet有TO-247和CCPAK表面安装包，用于汽车、5G和数据中心应用。
来自Nexperia的GaN HEMT H2 fet有TO-247和CCPAK表面安装包，用于汽车、5G和数据中心应用。GAN041-650WSB是650v的35-mΩ场效应晶体管，而GAN039-650NBB是650v的39-mΩ设备。
根据制造商的说法，正常关闭部件实现优越的开关性能(FOM)和开关状态性能与改善的稳定性。由于cascode配置，它们可以简化应用程序设计，从而消除了万博投注网址对复杂驱动程序和控件的需要。氮化镓技术采用贯穿外延材料的孔道，将缺陷和模具尺寸缩小约25%。
在to -247封装的初始FET释放下，25°C时导通电阻也降低到最大41 mΩ(典型35 mΩ)。在25°C下，CCPAK的导通电阻进一步降低到39 mΩ最大(33 mΩ典型)，其特点是铜夹取代内部搭接线，减少寄生损耗，提高可靠性。CCPAK GaN fet有顶部和底部冷却的配置。
650伏GaN fet现在正在取样。TO-247和CCPAK版本都满足AEC-Q101对汽车应用的要求。
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