昭和电工与东芝签订长期SiC晶圆供应合同

文章作者:ACN新闻专线

昭和电工与东芝签订了长期供应电力半导体用SiC外延片的合同。

日本昭和电工株式会社(SDK)与东芝电子设备存储公司(Toshiba electronics Devices & Storage Corp.)签订了为期2年半的供应电力半导体用SiC外延片(SiC外延片)的长期合同,并附加了可选延长条款。

东芝一直在开发和商业化各种基于SiC的功率器件,包括用于轨道车辆的逆变器,同时采用SDK生产的SiC外延片作为SiC基肖特基势垒二极管(SiC SBD)和SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的主要材料。

东芝决定签订这项长期合同,是因为该公司赞赏SDK生产的SiC外延片的性能均匀性和表面缺陷密度低。该长期合同将进一步加强SDK与东芝在SiC外延片性能改进方面的技术合作。此外,SDK预计东芝采用SDK生产的SiC外延片,将有助于SDK进一步拓展其SiC外延片业务。

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