800V MOSFET适用于低功耗的SMPS应用GydF4y2Ba

文章：英飞凌技术GydF4y2Ba

基于超结技术，英飞凌技术的800V MOSFET专注于反激拓扑，通常在适配器，LED照明，音频，工业和辅助电源等应用中找到。GydF4y2Ba

800V CoolMOS P7系列的低功耗SMPS应用完美适合，高达0.6％的效率增益。与CoolMOS C3相比，这与在典型的反激应用中测试的竞争对手件相比，这将其转化为2°C至8°C的降低MOSFET温度。这种新的基准测试结果由优化的设备参数的组合：e中的减少超过50％GydF4y2Ba_{奥斯GydF4y2Ba}问：GydF4y2Ba_GGydF4y2Ba，以及减少的cGydF4y2Ba_斯GydF4y2Ba和cGydF4y2Ba_{奥斯GydF4y2Ba}。进一步提高的性能通过降低开关损耗和更好的DPAK r，实现更高的功率密度设计万博投注网址GydF4y2Ba_{DS（开）GydF4y2Ba}产品。总的来说，这有助于客户节省BOM成本并减少装配工作。GydF4y2Ba

易用性是设计入本产品系列的内在功能。集成的齐纳二极管显着改善了ESD坚固性，从而降低了ESD相关的产量损失。MOSFET易于驱动，并由于其V而设计GydF4y2Ba_{（GS）thGydF4y2Ba}3V和最小的vGydF4y2Ba_{gs（th）GydF4y2Ba}变化仅±0.5V。该组合允许降低驱动电压和较低的开关损耗。另外，它有助于避免在线区域中的无意的操作。GydF4y2Ba

800 V CoolMos P7 MOSFET的家庭将在十二次r提供GydF4y2Ba_{DS（开）GydF4y2Ba}课程和六个包中充分解决了目标应用程序的需求。产品与R.GydF4y2Ba_{DS（开）GydF4y2Ba}现在可以订购280mΩ，450mΩ，1400mΩ和4500mΩ。GydF4y2Ba