锌掺杂使GaAs纳米线激光器发光

文章：朱利安聊天

澳大利亚国立大学（ANU）的科学家通过将锌作为掺杂剂添加锌，改变了晶体结构并增加了装置的辐射效率，提高了未普通的GaAs纳米线（NW）激光的性能超过一百倍。

砷化镓广泛用于智能手机和其他电子设备，但通常GaAs纳米线需要表面钝化以最小化表面缺陷并最小化非辐射重组的速率。这种钝化增加了设备制造的复杂性，并且可能与其他处理步骤不兼容，请解释他们的研究人员自然通信纸张，“掺杂增强的辐射效率使得能够激光在未透过的GaAs纳米线中。”

另一方面，未呈现的GaAs NWS通常具有非常低的辐射效率，并且不考虑适用于光学应用。这里，GaAsnWS在575℃下由金属 - 有机气相外延生长，低V / III比为1.4。在生长过程中添加锌将纯紫立塔晶体结构（SEM图像D）转向Zincblende缠绕超晶格（TSL）结构（SEM图像F）。

这种掺杂和晶体结构在不需要进一步的制造步骤的情况下改变辐射效率，而不需要具有超短寿命的蓄水效率。

未顺放但锌掺杂的GaAs NWS比未掺杂的GaAsNWS的辐射效率呈现数百倍，同时认为掺杂的NW也比其未掺杂的对应物也比其光谱更广泛地更加亮起。

__51：__ *（d）未掺杂GaAs NW的SEM图像。秤栏，500nm。（e）在相同的激励和收集条件下从单个未掺杂和掺杂GaAs NW收集的光致发光光谱。掺杂NW的排放被认为是更亮的级。（f）掺杂GaAs NW的SEM图像。秤栏，500nm。*