晶体管阵列将功率损耗降低40％

文章：东芝

TOSHIBA已将19个产品添加到其TBD62XXA晶体管阵列系列配备有DMOS FET输出。新设备加入了37种其他产品，该产品在包括电机，继电器，LED和电平移位器的区域内找到广泛的应用程序，用于控制通信线路。与其TD62xxx的前身相比，TBD62xxx晶体管阵列系列切割功率损耗约为40％（在TA = 25°C和IOUT为200mA的情况下）。

11下沉和8种源极晶体管阵列适用于在电源和在电动照明应用中构建和关闭控制系统。通过源输出和沉积输出的组合可以动态控制LED矩阵。

图1：DMOS FET晶体管阵列承受较高的电压，并且由于输出级的导通电阻降低而消耗较低的功率。

目前批量生产的产品主要是H-Active型产品，其中输入输出如果输入H电平。东芝现在正在添加低效（L-Active）产品，其中如果输入L电平，则开启输出。L-Active产品非常适用于工业设备，娱乐设备和家用电器中的控制通信线路换档器。

此外，东芝同样同样将其TBD62381A系列扩展，推出TBD62089APG（带有D型触发器8位电路的槽输出型晶体管阵列）和TBD62789APG多晶体管。东芝还添加了源 - 输出型晶体管阵列，TBD62789APG，以响应娱乐和工业设备领域的需求。

整个东芝晶体管阵列突出额外额外的最大输出额定值为50V / 0.5A。

图2：东芝已扩展其晶体管阵列系列，以实现更广泛的输出和输入方法和功能。其最新的突出套餐进出口套餐，在那里对业余爱好商品，娱乐和工业设备领域有很强的需求;支持表面安装的溶胶包装;和小型SSOP封装（0.65mm引脚间距）适用于储存集装产品的空间。