东芝开发BICS Flash 3D闪存
文章：东芝
使用TSV技术的BICS Flash针对需要低延迟，高带宽和高IOPS / WATT的存储应用。
东芝内存公司正在通过使用3比特/小区（三级单元，TLC）技术，通过技术组合通过-Silicon开发BICS闪存3D闪存。
用TSV技术制造的器件具有垂直电极和通过硅模具的通孔，以提供连接。根据TOSHIBA的说法，这种体系结构使高速数据输入和输出降低功耗。该架构也用于Toshiba的2D NAND闪存。
东芝表示，通过组合48层3D闪光过程和TSV技术，产品编程带宽在实现低功耗的同时增加。东芝添加了单个封装的功率效率大约是用线粘合技术制造的相同一代BIC闪存的两倍。TSV BICS Flash技术还使1TB设备在单个封装中具有16芯堆叠架构。
开发目的原型出货量始于6月。产品样品计划在今年下半年发布。