英飞凌IGBT离散家庭评分为650V
文章：英飞凌科技AG
英飞凌的凉爽混合产物家族结合了650V Trenchstop 5 IGBT技术的主要优势和共用肖特基屏障冷却二极管的单极结构。
Infineon Technologies AG最近在带650V阻挡电压的离散封装中推出了650V冷却混合IGBT产品组合。冷却混合产品系列结合了650V Trenchstop 5 IGBT技术的关键优势和共填充肖特基屏障冷却二极管的单极结构。
具有卓越的开关频率和降低的开关损耗，这些器件特别适用于DC-DC电源转换器和功率因数校正（PFC）。这些通常可以在电池充电基础设施，能量存储解决方案，光伏逆变器，不间断电源（UPS）以及服务器和电信开关模式电源（SMPS）中的应用中找到。
由于续流SiC肖特基二极管与IGBT共填充，冷却混合IGBT在几乎不变的DV / DT和DI / DT值下显着降低开关损耗。它们可以提出高达60％的e上e减少30％离开与标准硅二极管溶液相比。或者，开关频率可以以不变的输出功率要求增加40％。更高的开关频率允许减少被动元件尺寸，从而降低较低的材料成本。混合IGBT可用作替代型替换Trenchstop 5 IGBT，允许每个10kHz开关频率的效率提高0.1％而无需重新设计。
产品系列在纯硅解决方案和高性能的SIC MOSFET设计之间创建一座桥梁。万博投注网址更有更多的是，与纯硅设计相比，混合IGBT可以改善电磁兼容性和系统可靠性。万博投注网址由于肖特基势垒二极管的单极性，二极管可以快速切换而不会严重振荡，并且寄生接头的风险。客户可以选择A到-247-3或A至-247-4 PIN Kelvin发射器包。Kelvin发射器包的第四个引脚允许超低电感栅极 - 发射极控制回路，减少总切换损耗。