英飞凌开始全sic模组生产

文章作者:Infineon

英飞凌科技公司日前宣布，该公司已开始批量生产Easy 1B，该公司称这是第一个全碳化硅(SiC)模块。该公司还发布了1.2kV CoolSiC MOSFET系列的额外模块平台和拓扑。

“碳化硅已经达到了一个临界点:考虑到成本效益分析，它已经准备好在各种应用中使用，”Peter Wawer博士，英飞凌工业电源控制部门总裁，在新闻发布会上说。

基于SiC的晶体管具有更高的效率、更高的功率密度、更小的足迹和更低的系统成本。根据英飞凌的说法，新的1.2kV SiC mosfet已经过优化，以结合高可靠性和性能。它们显示的动态损耗比1.2kV硅igbt低一个数量级。

第一个产品最初将支持即将到来的应用在光伏逆变器，不间断电源（UPS）和充电/存储系统等应用中的系统挑战。在不久的将来，新配置还将在铁路部门的工业驱动器，医疗技术或辅助电源中实现革命性的新解决方案。

英飞凌指出，1.2kV SiC MOSEFT沟槽技术的一个主要优势在于扩展的鲁棒性。这是由于较低的故障及时率(FIT)和短路能力，可以适应各自的应用。阈值电压(V th)为4v，推荐的开关阈值(V GS)为+ 15v，可以像IGBT一样控制晶体管，在发生故障时安全地关闭。SiC mosfet能够实现非常快的开关瞬态。此外，英飞凌表示，他们的技术提供了一种易于调节的瞬态通过门串电阻。因此，EMC行为可以很容易地优化。

去年，英飞凌宣布了产品Easy 1B(半桥/升压器)以及离散的TO-247-3pin和-4pin解决方案。今年，英飞凌发布了以下SiC模块:

• 轻松1B与B6(六包)拓扑。该模块的特点是英飞凌的模块配置，其导通电阻(R DS(ON))只有45 mΩ。集成体二极管确保了低损耗的自由旋转功能。Easy 1B适用于驱动、太阳能或焊接技术领域的应用。
• 简单的2B半桥拓扑。这个更大的Easy设备提供了一个增强的性能与一个R DS(ON) 8 mΩ每个开关。低电感模块概念适用于50 kW以上的应用和快速开关操作。其中包括太阳能逆变器，快速充电系统，或不间断电源供应的解决方案。
• 62毫米与半桥拓扑。这是一个额外的半桥配置，具有更高的功率，每个开关功能的R DS(ON)为6 mΩ。该模块平台为中功率范围内的系统提供了低电感连接的可能性。许多应用都利用了这一技术，例如医疗技术或铁路部门的辅助电源。

Easy 1B和两种离散设备到-247-3Pin和-4pin正在逐步进入今年的数量。EASY 1B的半桥配置现在可用。新产品配置可用作样本，2018年计划串行开始。