Gan-On-SIC放大器在高达2.7GHz上运行
文章：Qorvo
QPD2731用预先匹配的离散GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管地址在碳化硅（GaN-on-SiC）上的氮化镓转变。
RF解决方案提供商Qorvo新的非对称Doherty放大器在无线基站设备设计中实现了高水平的功率效率。
客户越来越多地向碳化硅（GaN-On-SiC）上氮化镓，以改善无线基站的性能，线性度和效率与LDMOS和GaN-on-Si相比，热特性差。QPD2731用预匹配的离散GAN-SIC高电子迁移率晶体管（HEMTS）来解决换档。
目前可用于采样的新放大器提供最高性能，其工作范围为2.5GHz至2.7GHz。它可以在48V运行中提供50W的PAVG。
根据Qorvo的说法，QPD2731可以通过标准，可商购的第三方DPD系统进行线性化。