氮化镓和碳化硅让设计工程师进入了一个新的频谱
文章作者:Majeed Ahmad
GaN半导体需要更多的关注规范的功率和热管理技能。
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宽带隙(WBG)半导体，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，是功率转换的新前沿，这让设计工程师进入一个全新的频谱，以及功率密度和形状因素的机会。
这意味着工程师必须对这些新的工程前沿有深入的了解，并且他们必须不断更新他们的技能，以适应这个新的电源管理领域。Alex Lidow是一位电力设计老手，也是高效电力转换(EPC)的首席执行官，在最近与EDN编辑顾问委员会的一次谈话中，他强调了由采用WBG半导体驱动的工程问题。
Lidow表示，布局、EMI和热管理将继续在基于gan的设计中发挥关键作用。万博投注网址
Lidow承认，虽然碳化硅对用户来说更简单，但氮化镓需要更多地注意规范的电源和热管理技能。Lidow说:“GaN设计的热模拟和力学模拟的尺寸是不同的，它们仍在进化中。”万博投注网址
对于设计工程师来说，与表面有关的常见问题是:有效的热设计和布局。工程师如何驱动GaN设备?你如何布置和管理它的热量?为什么这些特性如此难以理解?最后，有哪些新的设计工具可用?
设计工程师需要掌握一套新的基本技能，以便向更高功率密度的GaN器件迁移。Lidow指出:“对于以gan为中心的设计来说，热力学要神秘得多。”万博投注网址“工程师将如何管理EMI问题也将是一个关键的设计考虑。”
本文最初发表于经济日报。
马吉德艾哈迈德他是EDN的主编，报道电子设计行业已有20多年。
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