变容器有它们的用途,但这种设计在许多情况下更加多样化。
电子可变电容器,无论是用于T&M还是在端电路中,通常都具有几百个Picofarad的最大电容,以及有限的调整范围。这设计理念展示广泛,可变,高值电容器。
图1虚线框中的电路表示可变电容拓扑。
以下是相关方程式:
我用过opa189.由于其非常低的偏移电压,而且opa633.由于其高输出电流。
使用示意图中显示的值:
K.一世= 1
K.D.= C1×(P1 + R7)
改变电位器的值我们得到100nf的电容为4.8μF。
图4.我的实际波形C和V.C。
作为进一步的测试,我在V之间连接了2.2 MH线圈C和地面。电路响起为1.87 kHz,这与期望很好。
OP-AMP共模抑制的影响
考虑到U1和U3输出的错误源,由于R3-R6和R8-R11中的不匹配,我们得到:
由于衡定向者的价值非常高,我们可以忽略第二个任期。
但是,由于U1的CMRR引起的错误不能被忽略。U1的差分输入电压非常小(V.C- V.O.),虽然常见的输入电压很高,即V.C。
由于电阻不匹配导致的CMRR是:
在哪里GD.是差分增益。
使用0.1%的R3-R6电阻,CMRR将为54 dB。
-下载蒂娜仿真文件。
-Gheorghe Plasoianu拥有来自布加勒斯特透明技术研究所的电气工程硕士学位。
参考
相关文章: