电路提高了便携式数据记录仪的整体效率

文章作者:Benabadji Mohammed Salim

今天的大多数微控制器使用3.3V或更低的直流电压供电。电池被用于间歇性使用的低功率嵌入式系统。永久使用,设计通常包括交流电源(变压器和A万博投注网址C / DC电路),并使用打鼾二极管连接电源一起向前(引用1和2)。著名的下降(0.6 v)的二极管没有早些时候设计的问题,经常与电池动力的来源9 v或更多。但在现代电路中，即使我们选择肖特基二极管(0.3V)，也不推荐使用。

一个更好的选择是使用一个专用的IC控制器来结合电池和电源。像LT4351(参考文献3)这样的器件，由于镇流器MOSFET晶体管的极低R，可以产生仅几十毫伏(mV)的正向压降_dsON。然而，与下面的离散和简单的解决方案相比，这些专用集成电路通常很昂贵，而且有些难以找到。

的电路图1当我想要提高我设计的长期使用的低功耗便携式数据记录器的整体效率时，它变得至关重要。

图1与基于二极管的方法相比，这种简化的用于ORing电源的离散电路提供了更高的效率。

这里有一个简短的说明:如果主电源(V_三机一体)， n通道MOSFET晶体管T3是ON，这拉下p通道MOSFET T2的门，并打开T2 ON。晶体管T1视其栅源电压(V_gs)漏源极电压(V_dsT2，也就是10mv。因此，T1是OFF，外部供电路径(V_in2)是开放的。

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现在，在间歇V的情况下_三机一体停电，T3关闭，因为它的门被拉下来通过R1，然后T1打开。晶体管T2是关闭的，因为它的门被拉上通过R2 (V_gsT2几乎等于零)。

MOSFET晶体管T1和T2应该选择低电平门和非常低的通阻特性(例如:T1 = T2 = PMN50XP[参考文献4]，它们有R_dsON60 mΩ在V_gs= 3.3 v)。晶体管T3可以是流行的2N7000(或2N7002表面贴装部件)。

当主电源存在时，电路的静态电流约为20 μA，否则几乎为零。因此，电池适合作为外部电源。

的 R1和R2的值不是临界的。它们可以是数百kΩ，如果我们想获得一个非常低的静态电流，或数十kΩ，如果我们想减少输入电源之间的交换时间整流。

本文最初发表于经济日报。

Benabadji Mohammed Salim正在阿尔及利亚奥兰科技大学攻读他的计算机科学硕士学位。

参考文献

1. 电力系统基本原理马丁•Patoka经济日报2007年3月21日
2. 使用运放做自动oring电源选择器鲍勃·茨威格,经济日报2011年8月11日
3. LT4351 MOSFET二极管或控制器，利康科技有限公司
4. PMN50XP p通道TrenchMOS极低电平场效应晶体管， NXP Semiconductors, 2007年

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