英特尔内存业务的简要历史
文章：Majeed Ahmad
英特尔从NAND Flash业务的出发有点让人想起20世纪80年代DRAM市场的出口。
英特尔再次在内存业务交叉路上。根据华尔街日报，半导体行业巨头正销售其NAND闪光灯单元，以90亿美元的价格将其NAND闪光灯单元销售给SK Hynix。除了NAND Flash Chips之外，该交易还包括英特尔的固态驱动业务和晶圆业务，包括英特尔在大连，中国的制造设施。
该交易包括英特尔在中国大连的制造设施。
英特尔与记忆技术的爱情讨厌关系是传说的东西。1968年，两位飞池校友罗伯特诺伊斯和戈登摩尔，成立英特尔专注于硅栅极存储芯片和多芯片内存模块。在几乎每个半导体装备专注于逻辑器件上的时候，英特尔看到了内存存储如何卡在晶体管前的时代。
然后在1969年来到DRAM的诞生。超过十年后，在日本供应商的DRAM筹码中，英特尔COO Andy Grove问CEO GORDON MOORE，“如果我们被踢出来，董事会带来了一个新的首席执行官你认为他会做什么？“摩尔回答，他会让我们摆脱回忆。
那天，在1985年，两名男子决定将英特尔从DRAM业务中取出，在他的书中写下迈克尔马龙英特尔三位一体。当英特尔在技术业务中最大的成功故事中的尖端时，正在发生这种历史性的谈话：IBM PC中的微处理器插座。
尽管如此，英特尔继续前进另一个开创性的内存技术：也不闪烁。该公司于1988年推出了第一个也是闪存芯片，随后开始更换EPROM产品。但是，虽然英特尔开始在NOR闪存中进行进步，但经常用于保持软件代码或引导存储器，但NAND Flash开始其戏剧性的上升，以包含像iPod这样的消费者设备中的数据。
2005年1月，IC见解预测，NAND闪存市场将在前者在MP3播放器，USB驱动器和其他存储设备中使用前使用。英特尔看到墙上的写作，并用微米搭配一个NAND闪光伙伴关系。
为什么微米？虽然Micron想要超越其对DRAM业务的依赖，但它并不适合英特尔来建造或购买新的Fab，以制作NAND芯片。另一方面，微米可以在其存储芯片制造设施中构建Fab壳。我闪光灯，2005年英特尔和Micron之间的伙伴关系已在2005年宣布，这是内存行业的一部分，以创建超密集的NAND闪存芯片。
英特尔与微米合作超过了许多内存容量阈值。包括3D NAND技术，其在32层中垂直堆叠闪光灯，以实现256 GB多级电池（MLC）和384 GB三级电池（TLC）模具在标准包中。Micron于2019年1月收购了IM Flash，这在某种程度上，是到的事情的预兆。
EE时间最近在其特殊项目中探讨了内存技术的弧：记忆市场。
最终，英特尔现在剥夺其非核心业务，决定远离以颠覆性定价和攻击战略而闻名的闪存市场。但是，该公司还没有完成记忆技术。
来源：英特尔
英特尔计划保留Optane Memory技术它正在与微米合作开展。3D xpoint技术 - 该品牌名称下的英特尔市场 - 应该比NAND闪存更快地传输数据。
但是，对于大型的内存市场，三星和SK海力士现在可以播放DRAM和Flash游戏韩国风格。
本文最初发布edn.。
Majeed ahmad.是EDN主编，覆盖了电子设计行业的二十多年了。
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