4Mbit reram使用0.2mA读取

文章:富士通

富士通声称MB85AS4MT不仅是最高密度的RERAM,但它消耗了NV存储器中读取操作的最小功耗。这对可穿戴的好消息。

富士通半导体已与松下半导体解决方案合作,开发4Mbit Reram产品,MB85AS4MT,SPI-Interface reram产品,其具有宽范围的电源电压,1.65V至3.6V。

MB85AS4MT在0.2mA的读取操作中具有5MHz的最大工作频率的小平均电流。它是最佳的电池操作的可穿戴设备和诸如助听器的医疗设备,其需要高密度和低功耗电子元件。

它为非易失性存储器中的读取操作提供了低功耗。包装是209mil 8针小型轮廓包(SOP),与其他非易失性存储器产品如EEPROM兼容。

除了听力设备之外,富士通半导体预计MB85AS4MT还将用于IOT设备,如仪表和传感器。

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