1700 V SMD SIC MOSFET提供更高的可靠性
文章：苏珊诺德克
Infineon现在提供1700 V级，在其冷却MOSFET系列中，可实现更高的可靠性，以及低开关和导通损耗。
Infineon现在提供1700 V级，在其冷却MOSFET系列中，可实现更高的可靠性，以及低开关和导通损耗。安装在表面安装封装，IMBF170R1K0M1，IMBF170R650M1和IMBF170R450M1分别提供1000mΩ，650mΩ和450mΩ的导电额定值，并在三相转换系统中定位辅助电源。
零件1700-V阻挡电压消除了关于过电压边缘和电源可靠性的设计问题。它们针对具有+ 12V / 0-V栅极源电压的反激拓扑，与普通PWM控制器兼容。此外，它们不需要栅极驱动器IC，并且可以由反激控制器直接操作。
根据英飞凌，凉爽的沟槽技术实现的效率比其他1700V SIC MOSFET高0.6％。低损耗使紧凑型SMD组件具有自然对流冷却，而无需散热器。1700V冷却MOSFET有7引脚D2PAK表面安装封装，提供延长的爬电和30mm以上的间隙距离。设备正在串联生产，现在可用。
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