0.30μm工艺目标超低噪声感应应用程序

文章：AMS AG

AMS AG介绍了A30，高性能模拟低噪声CMOS工艺。据该公司称，A30工艺提供卓越的噪声性能，并实现为光学缩小，从AMS先进的0.35μm高压CMOS工艺系列中的0.9倍。

A30工艺特征孤立的3.3V器件（NMOSI和PMOSI），隔离3.3V低VT器件（NMOSIL和PMOSIL），具有薄栅极氧化物（NMOSI20T），垂直双极晶体管（VERTN1和VERTPH）的隔离的高压装置以及隔离的3.3V超低噪声晶体管（NMOSISLN），它在0.46Pa / sqrthz（@ 1kHz，IDS =1μA@ VDS = 3V，10×1.2μm²）上提供闪烁的噪声。与H35工艺相比，它使得高漏电流的闪烁降噪至少为4到10。诸如各种电容器（聚，三明治和MOS变容二极管）和电阻器（扩散，基于良好，多电阻多和精密）的无源设备，完成了器件。

A30工艺非常适用于超低噪声感测应用和模拟读出IC，其需要噪声优化的输入阶段或高信噪比。它允许为消费电子，汽车，医疗和物联网设备开发创新解决方案。A30工艺在AMS的200mm制造中完全合格和制造。绘制所有0.30μm元素并验证为0.35μm。光学收缩（因子为0.9），在完成的GDSII数据上在掩模商店中完成，并且导致较小的模尺寸尺寸的较小管芯每个晶片。

A30流程由众所周知的Hitkit，AMS的行业基准工艺设计套件支持。基于Virtuoso定制IC技术6.1.6来自Cadence，新的Hitkit帮助设计团队在模拟密集混合信号竞技场中显着降低高竞争产品的上市时间。新的Hitkit提供高度准确的仿真模型，提取和验证运行组，为口径和基于技能的PCells提供了综合的设计环境和良好的硅途中。