STMicroelectronics intris RF LDMOS功率晶体管
文章：STMicroelectronics
意法半导体正在扩展其STPOWER LDMOS晶体管系列，采用三种不同的产品系列，为射频功率放大器进行优化。
STMicroelectronics正在扩大其Stpower家族LDMOS晶体管采用三种不同的产品系列，优化了各种商业和工业应用中的RF功率放大器（PAS）。
具有高效率和低热电阻和打包以处理高RF功率，STPower LDMOS器件将短路通道长度与高击穿电压相结合。这些特性允许具有低功耗和高可靠性的经济有效的解决方案。
扩展可以解决的应用范围，新的STPower LDMOS IDCH和IDDE系列是28V / 32V常见源N频道增强模式横向场效应RF功率晶体管。IDCH器件提供8W到300W的输出功率，专为高达4GHz的应用而设计，包括2.45GHz工业，科学和医疗（ISM），无线基础设施，卫星通信和航空电子设备和雷达设备。LDMOS设备适用于所有类型的调制格式。
IDDE系列包含10W-700W设备，适用于频率高达1.5GHz的宽带商业、工业和科学应用。该设备可以承受负载VSWR(电压驻波比)为10:1，通过所有阶段。它们适用于所有典型的调制格式，并适用于大多数类别的RF PA操作，包括A类、AB类和c类。它们的高效率最大程度地减少了提供所需输出功率所需的能量。从而降低运行成本，减少散热，从而简化热管理，使系统更紧凑。
ST还推出了新IDE系列中的设备，具有50V公共源，N沟道增强模式，横向现场效应，RF功率晶体管技术。随着15W的输出功率高达2.2kW，IDEV产品组合专为ISM应用而设计，频率高达250MHz，包括驾驶大功率CO2激光器，等离子发生器，MRI系统，88MHz-108MHz范围内的广播FM-无线电发射器，以及高达1.5GHz的航空电子设备和雷达应用。它们适用于所有典型的调制格式和A类AB和C类中的PA操作。
坚固的IDEV系列能够高达2.2kW的连续波（CW）输出功率，来自高达250MHz的HF（3-30MHz）频率。这些器件从单个陶瓷封装提供高功率，这些设备减少了高功率应用所需的RF功率晶体管的总数，例如广播发射器。功率效率大于82％，最大限度地减少了系统电源需求，并确保了简单的热管理可靠性。
