低功耗和紧凑的解决方案满足嵌入式系统的内存需求

文章:Maurizio di Paolo Emilio

HyperRAM 2.0提供HyperBus和八进制SPI接口,并在DDR模式下提供高达400 Mbps的读/写带宽。

2014年,Cypress推出了HyperBus接口,利用了并行和串行接口存储器的传统功能,提高了系统性能,简化了设计,并切实降低了成本。在支持HyperBus的解决方案中有HyperRAM,这是一种新颖的技术解决方案,能够实现高达333 MB/s的吞吐量,在HyperRAM 2.0中增加到400 MB/s。HyperRAM 2.0是一种高速、低引脚计数自刷新动态RAM (DRAM),专门为需要扩展内存的高性能嵌入式系统设计,如汽车、工业、消费和物联网应用。HyperRAM 2.0提供HyperBus和八进制SPI接口,并在DDR模式下提供高达400 Mbps的读/写带宽。

Hyperram.

通过与赛普拉斯的合作,华邦电子已经推出了32Mb至512Mb的密度产品。目前,产品24BGA (6×8 mm2)通过汽车级WLCSP(晶圆级芯片刻度封装),瞄准消费者可穿戴市场,以及KGD(已知的好死)都可以使用。

除了赛普拉斯,其他相关的领先的MCU制造商如恩智浦,瑞萨斯,St和TI已经开发出支持HyperBus接口的微控制器,并将在未来的支持下也在支持。与此同时,领先的Silicon IP提供商如Cadence,Synopsys和Mobiveil,也开始提供HyperBus内存控制IP,从而加速包括此内存解决方案的产品的上市时间。

HyperRAM可以显著提高终端设备的性能,其主要优点如下:

  • 低功耗:通过混合睡眠模式(HSM)实现此功能,该功能仅绘制45μW@1.8V和55μW@ 3V(与2000μW@35相比具有相同容量的待机模式SDRAM)
  • 占地面积减少:低引脚数允许拯救PCB上的宝贵空间
  • 易于控制:具有较少的有源引脚,设计更简单而不会影响整体系统性能。

除了更高的功耗,低功耗SDRAM比HyperRAM具有更大的形状因子,这并不是一个理想的解决方案,需要尽可能地减少占地面积和PCB面积。如图1所示,HyperRAM接口只需要13个引脚(DQ[7:0], RWDS, cs#, RESET#, CK, CK#),大大简化了PCB设计和封装尺寸。反之,传统的SDRAM解决方案需要38个引脚和8×8毫米的面积2而LP SDRAM解决方案需要41个引脚和9×8 mm的面积2在54 bga包中。因此,在产品的设计阶段,更多的引脚将可用于实现额外的功能,使解决方案更划算,以及。

图1:Winbond HyperRAM框图

HyperRAM的另一个相关特征是它是一个自刷新的RAM,这意味着在完成读/写操作后可以自动返回到待机模式。这允许减少系统设计和固件开发的努力。

关于可从该解决方案受益的用例和行业,它们包括所有需要低功耗和高MCU计算能力的应用,如汽车、工业4.0、智能家居、可穿戴设备和物联网设备。此外,对于电池驱动的设备,如智能扬声器和智能电表,低功耗是实现更长的电池寿命的关键。

Winbond HyperRam是用于分类的嵌入式AI和图像处理的理想解决方案,其中设备应尽可能小,同时提供足够的内存空间来支持计算密集型算法,例如面部识别,对象检测,实时图像识别和边缘计算。

“关于超级实际应用案例,有两个主要的流:一个是准确的图像识别,另一个是语音识别,他们都支持语音或图像的AI模型”,Jacky Tseng说,Winbond的Dram营销经理在接受采访时与eeweb。

SpiStack

Spistack是由Winbond开发的内存解决方案,它通过堆叠NOR DIE和NAND模具形成为相同的包装,例如64MB串行,也不是1GB QSPINAND模具。该解决方案使设计人员能够在NAND模具中存储在未模具和数据中的代码。

通过堆叠同质或异构flash模块,SpiStack为代码和数据存储提供了不同密度的广泛存储,同时为设计师提供了最大的存储灵活性,以满足他们的设计要求。SpiStack存储器只需要8个信号引脚,不管堆叠芯片的数量。活动的模具可以通过一个简单的软件模具选择命令切换,提供一个工厂分配的模具ID号码。该设备可以被锁定到104MHz,对应于Quad-SPI下的416MHz时钟速率。此外,SpiStack (NOR+NAND)支持并发操作,这意味着其中一个模具可以编程或擦除,而另一个可以编程/擦除/读取,反之亦然。例如,应用程序可以使用或死亡(SpiFlash提供更好的耐力和持久力,快速随机存取时间)来存储引导代码和应用程序代码,而多个大型数据(如学习嵌入式AI和相机图像)的数据可以存储在NAND死(QspiNAND)。多个SpiFlash芯片,每个芯片的密度从16Mb到2Gb不等,可以与NOR和NAND芯片的任何组合堆叠。

如图2所示,Spistack提供比连续读取的串行NAND更好的读取性能。这是因为Spistack支持并发操作:虽然在一个管芯上执行读取操作,但是可以在另一个管芯上执行写入/擦除操作,而不会中断用于数据更新的代码执行。

图2:SpiStack vs串行NAND w/cont。读性能

采用SpiStack解决方案的主要好处主要有三个:

  • PCB占用空间小:这是多个应用程序的强制性要求,包括物联网、可穿戴设备、消费者和医疗设备
  • 成本效率:SpiStack解决方案允许减少组件和引脚的数量,简化PCB布局和路由
  • 高灵活性:可以组合使用NOR和NAND DIES的大小以满足特定的应用要求。Spiflash和Flash配有16MB,32MB,64MB,128MB和256MB尺寸,而QSpinAd配有512MB,1GB和2GB尺寸。

“我们解决方案的第一个好处是它可以提供较小的形状因素,这对于IoT等应用至关重要。第二是可以通过将两个内存模具放入同一芯片组中来降低的成本。Wilson Huang表示,第三张福利是为客户选择任何不可用的人和Nand Dies的密度“,Wilson Huang表示,Winbond的Flash Marketing Manager。

此外,通过将两个芯片集成在一个包装中可以减少制造成本,并且通过使用标准包保留硬件兼容性,8垫WSON 8MMX6MM包(参见图3)。

图3:SpiStack WSON包

“我们提供高质量的产品,因为我们只使用成熟和可靠的技术(46nm NAND和58nm NOR)。所以,质量非常好,我们的客户不需要担心质量,”来自盈邦的发言人总结道。

本文最初发布EEWEB.

莫里吉奥·迪·保罗·埃米利奥拥有物理学博士学位,电信工程师和记者。他曾参与引力波研究领域的多个国际项目。他与研究机构合作,为空间应用设计数据采集和控制系统。他是施普林格出版的几本书的作者,以及许多电子设计方面的科学和技术出版物。

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