设计保护晶体管和负载通过大电流

文章作者:Peter Demchenko

该放大器电路通过电流保护输出晶体管和负载。

一种广泛使用的AB类放大器推挽结构如图所示图1,但也有一些改进。

推挽配置类AB放大器的电路图 图1这种AB类放大器的结构有一些改进。

首先,让我们来看看它的热补偿方式。Q1和Q2表示输出晶体管的快捷方式,因为通常这些输出设备是达林顿或互补对。Q1和Q2的偏置电压从齐纳(D1)电压和Q4和Q5晶体管的VBE滴加,这是温度相关的。通常Q4和Q5位于与晶体管Q1和Q2相同的散热器上。

通常Vbe(在我们的环境中是Uk)的值约为0.8V(如果使用达林顿配置,则为1.8-2.5V)。

通过晶体管Q1和Q2的静态电流是:

i1 = i2 =((vz + nU4)R3 /(2 *(R1 + R3)) - U1)/ R5

其中N是补偿链中的晶体管的数量(2晶体管,Q4和Q5,图1)和英国,其中k = 1,2,3,4是晶体管Qk的VBE。

设K = R1/R3,则:

i1 = i2 =((vz + nU4) / (2(k + 1)) - U1)/ R5

在导数:

di1/dT = (n / (2*(K+1)) * dU4/dT - dU1/dT) / R5

在衍生DUK / DT代表晶体管QK的热依赖性的情况下,K = 1,2,3,4。

因此,例如,如果晶体管U1和U4的UBE热依赖性关闭,则遵循最佳条件:

K = n/2 - 1这或多或少是显而易见的,但我们必须正式地得到它。

补偿可以通过串联更多的晶体管来增加:使用两个串行连接的晶体管Q4和Q5,而不是只有一个。所以电压变化可以翻倍。这也有助于当晶体管Q1和Q2不共享一个共同的散热器。然后,Q4 (Q5)可以放置在同一个散热器Q1 (Q2)来控制温度。

用独特的设计哇工程世界:设计构思提交指引

这种设计中齐纳二极管优于电阻的优点是热反馈的衰减更低,因此可以实现更精确的补偿。TL431优于普通齐纳二极管,因为TL431具有更低的动态电阻和更低的工作电流。

所有这些类型的热补偿有相同的漏洞:自热传感器(Q4 Q5在我们的例子中)需要放在输出晶体管的散热片(即远程而不是常见的PCB),一些连接线路,有或没有一个套接字,几乎是不可避免的(注意电线Q4和Q5在图1)。

如果热传感器的链(即链条是D1,Q4,Q4,在我们的情况下)被引起的,因为插座中的不良接触或简单地在电线中断裂,这将不可避免地通过电流产生大而无法控制的晶体管Q1和Q2。这些晶体管可以通过该电流破坏,并且将发生相应的热失控。

Q4 / Q5配对,高质量的互补功率晶体管,可能相当昂贵,但濒临灭绝的负载可能更昂贵!

此外,这种电路可以包括一个电位器来调节静态电流,这使得这样的电路容易受到锅的质量的影响。应该提供一些东西来防止这种灾难。

电路in.图2.可以解决所有这些问题。它保护昂贵的输出晶体管和通过电流的大型无法控制的负载。

AB类放大器保护电路的电路图 图2.该电路保护了昂贵的输出晶体管和负载免受大的不可控通过电流。

以下是保护工作原理:晶体管Q3控制链D1,Q4,Q5的完整性。如果链条打开,则Q3栅极上的电压变高,打开并将Q1和Q2的基极偏置降低至几乎零。这确保了非常低的静态电流I1和I2,如果完整性被破坏,如上所述。

为了计算元件,让我们考虑Q3的最大门限电压,该FET为开(关);我们将这个值指定为Vgso:

VGSO = 0.8V(对于BS170和BSS138)

在正常操作期间,虽然链条D1,Q4,Q5未破裂,但晶体管Q3打开(关闭),并且点A和B之间的电压由链D1,Q4,Q5确定:

Vab = Vz + n * U4,其中,如上所述,U4代表Q4的Vbe。

这可能是正确的,如果:

i0 * (R1+ R2 + R3 + R4) > Vz + n * U4

通过R1、R2、R3、R4的电流为:

I14 = VAB /(R1 + R2 + R3 + R4)

假设我们确实知道目前的I0;它的值不仅可以通过上述不等式确定,而是知道输出功率,输出晶体管Q1 / Q2的增益,频率范围和电路的寄生电容。

现在差i0 - i14不应小于齐纳二极管的最小容限电流:

I0 - I14> = Izmin(此值可以在数据表中找到,1 mA为TL431)

然后,对于R2:

R2 <= (n * U4 - Vgso / 2) / (i0 - Izmin))

为了确保晶体管打开(关闭),让我们只需一半的VGSO:

R3 (R4)和热反馈链(Q4, Q5, D1)的值应提供Q1 (Q2)的必要偏置:R3 = R4 >= (U1 + i1 * R5) / i14

现在让我们研究链条D1,Q4,Q5被破坏时会发生什么。
我们将Vgsc设为Q3关闭(打开)时Vgs的最小值。

然后是Vz:

I0 *(R1 + R3 + R4) - VZ> VGSC

我们有Vz:

vz

图2中的电路使用绿色LED代替齐纳二极管。该电路的优点是:

  1. LED显示D1, Q4, Q5链的完整性。
  2. 通过LED的电流可以远小于通过齐纳或TL431。

这里使用了绿色LED,因为它具有最合适的下降电压(约2.2V)。注意:下降取决于制造技术,某些类型的绿色LED可能超过3V,所以请得到警告。

阅读更多设计理念 借助链R7,R8,我们可以控制通孔I1(I2)。链条对断开LED的情况有所帮助,限制A和B之间的电压和通过电流I1(I2)。

电容C1确保在电路上电期间通过晶体管Q1和Q2零静态电流。它还消除了在Q1和Q2的基础上的交流差异,消除了可能的失真来源。

注意电阻对R1和R2, R3和R4有相同的值。这种对称性降低了输出级的总谐波失真(THD)。参考1).

本文最初发布经济日报

参考

  1. THD增强偏置电路设计目标AB缓冲区、电子设计

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